激光直写是利用强度可变的激光束对基片表面的抗腐蚀材料实施变剂量曝光，显影后在抗腐蚀层表面形成所要求的浮雕轮廓，激光直写系统的基本工作原理是由计算机控制高精度激光束扫描，在光刻胶上直接曝光写出所设计的任意图形，从而把设计图形直接转移到掩模上。

激光直写系统基本原理结构

激光直写系统的基本结构如图1所示，主要由He-Cd激光器、声光调制器、投影光刻物镜、CCD摄像机、显示器、照明光源、工作台、调焦装置、He-Ne激光干涉仪和控制计算机等部分构成。

图1 激光直写系统结构简图

激光直写的基本工作流程是：用计算机产生设计的微光学元件或待制作的VLSI掩模结构数据；将数据转换成直写系统控制数据，由计算机控制高精度激光束在光刻胶上直接扫描曝光；经显影和刻蚀将设计图形传递到基片上。

激光直写系统现有技术存在的问题

机械误差：光刻过程是指放置在电动平台上的光刻胶基片随着电动平台的转动和平移，由声光调制器控制光束的强弱对光刻胶进行变剂量曝光，通常电动平台的定位精度达到微米或亚微米量级。然而由于惯性、静摩擦、松动等所造成的电动平台螺距误差与偏移，将直接影响着系统的性能和光刻元件的质量。如何提升实现平台的高精度定位是激光直写技术中需要考虑的问题。

芯明天压电纳米定位平台采用柔性铰链机构，铰链机构基于固体的弹性变形，无滚动和滑动部分，具有零摩擦、高精度的特点，并且具有很高的刚度和承载能力。更重要的是，芯明天压电纳米定位台的定位精度可达纳米级甚至亚纳米级。

芯明天压电纳米定位平台以其纳米级的精度、稳定的性能、便捷的操控成为扫描运动平台的理想选择。

芯明天压电扫描台简介

P12A系列压电扫描台

运动自由度：XYZ

行程：100μm/轴

分辨率：7/4nm

中心通孔：45×45mm

承载能力：0.5kg

P15系列压电扫描台

运动自由度：XYZ

行程：300μm/轴

分辨率：13/6nm

中心通孔：66×66mm

承载能力：0.5kg

P17.XY200系列压电扫描台

运动自由度：XY

行程：187.5μm/轴

分辨率：8/5nm

中心通孔：60×60mm

承载能力：1kg

P78.Z200/300系列压电扫描台

运动自由度：Z

行程：187.5μm/262.5μm

分辨率：7/3nm

中心通孔：64×64mm

承载能力：1kg

为了压电纳米定位台与您系统间更好的融合，芯明天公司提供定制服务，可按客户应用的系统进行量身定制。