三维压电偏摆台用于晶圆表面检测
半导体工业对于晶圆表面缺陷检测的要求,一般是要求高效准确,能够捕捉有效缺陷,实现实时检测。将晶圆放于精密光学平台上,选择合适的入射光照射于晶圆表面,晶圆随光学平台及旋转托盘而运动,完成表面的扫描。再通过CCD等收集反射光,得到晶圆表面图像,传到计算机,从而检测晶圆表面的缺陷。
芯明天高精度P51压电偏转/扫描台可以实现θx,θy方向偏转及Z向升降,因其分辨率高、重复定位精度高、响应速度快等特点非常适于晶圆检测,即可用于调节光路,又可调节晶圆样品的观测视角,大大提高了晶圆检测的精度。
P51系列压电偏转台为θx、θy 轴偏摆Z 轴升降台,偏转行程为±1.1mrad,Z轴直线行程可达100μm。台体采用无回差柔性铰链导向结构,采用有限元分析进行优化,具有超高的刚度以及导向精度。
产品特性
运动自由度:θx、θy、Z
直线行程:100μm@150V
偏摆角度:±1.1mrad/轴@150V
直线分辨率可达4nm
偏摆分辨率可达0.05μrad
通孔尺寸:80×80mm
承载可达1kg
仿真分析
通过有限元FEA 优化的铰链用于导向机构偏转台。有限元分析技术用于设计运动方向上的刚度,并减少角度偏差。铰链部分允许*精度的运动,因为铰链机构无间隙、无摩擦。
带载阶跃时间
P51.ZT1S压电偏摆台配套E01.D3压电控制器,加载240g负载达满行程的阶跃时间约50ms,加载500g 负载达满行程的阶跃时间约100ms。