随着AI大模型、高性能计算的快速发展，HBM高带宽内存、高端AI芯片、Chiplet异构集成成为半导体产业的核心方向，摩尔定律的演进已从平面微缩转向3D垂直集成。而晶圆键合，正是实现3D芯片、异质材料集成、先进封装的核心支柱工艺。在晶圆键合过程中，晶圆的高精度对准是决定工艺成败、芯片性能、量产良率的防控线，先进键合工艺的对准精度要求正在向更高的精度迈进。哪怕仅有几纳米的对准偏差，都会导致芯片报废、器件性能失效与可靠性降低。而实现纳米级对准的核心，正是能帮助晶圆调整位姿的压电纳米定位台。

一、晶圆键合技术/Wafer Bonding

（一）晶圆键合（Wafer Bonding）是半导体前道制造与先进封装的核心工艺，是一种将两片或多片晶圆（如硅、SiC、GaN等材料）在分子或原子尺度实现一体化结合的技术。晶圆键合的主要目的是突破传统芯片制造在二维平面上的物理极限，实现更高性能、更低功耗和更多功能的集成，例如：

1、3D集成：垂直堆叠不同功能的芯片，显著提升集成度与数据传输速度；

2异质集成：将不同材料的晶圆（如GaN、Si等）无缝结合在一起，实现优势互补

3、先进封装：制备SOI晶圆、MEMS真空腔体等特殊结构，通过晶圆级封装大幅提升量产良率，降低制造成本。

（二）典型的晶圆键合过程包含以下关键步骤：

1、表面预处理：通过化学清洗、等离子体活化等工艺，使晶圆表面原子级平整，去除杂质与缺陷；

2、精确对准：将两片晶圆上的对准标记精确重合，以确保后续电气连接的正确性；

3、预键合：将两片对准的晶圆贴合在一起，利用分子间作用力使晶圆初步贴合；

4、退火强化：通过高温加热使原子间形成牢固的共价键，从而将两片晶圆永久性地结合在一起；

5、质量检测：检测键合强度、对准精度与可靠性。

（三）晶圆键合的核心技术指标：对准精度

在晶圆键合的诸多技术指标中，对准精度是决定最终芯片功能与性能的最关键参数之一。

对准精度直接关系到：电气互联的成效、芯片性能的优劣、生产良率与成本。

二、压电纳米定位台/晶圆对准的核心执行单元

晶圆精对准的本质，是对晶圆的位置进行纳米级的精确调整。压电纳米定位台是以压电陶瓷作为驱动源，结合柔性铰链机构实现多轴精密运动的压电平台。其核心优势在于体积小、无摩擦、响应速度快，配置高精度传感器后，可实现纳米级分辨率及定位精度，且具有*高的可靠性。

在晶圆键合过程中，压电纳米定位台通过多自由度微动，补偿误差，将晶圆调整到理想的对准位置。这一过程需要同时满足高精度、高稳定性、快响应等要求，压电纳米定位台凭借驱动与结构特性，是晶圆键合对准调姿的核心标配部件。

芯明天压电纳米定位台的核心技术优势

（1）纳米级定位精度：压电纳米定位台通过逆压电效应实现电信号到位移的直接转换，分辨率和定位精度可达纳米级，满足先进晶圆键合对亚微米乃至纳米级对准的要求。

（2）毫秒级快速响应：压电纳米定位台的响应时间通常在毫秒级，可实时补偿位移偏差。在晶圆键合过程中，压电纳米定位台能够快速完成晶圆位置的微调，避免因调整滞后导致的对准失败。

（3）无摩擦：压电纳米定位台采用无摩擦柔性铰链机构设计，具有零间隙传动、高导向精度、高分辨率、长期稳定等优势。

（4）多轴协同运动能力：晶圆对准需要同时调整多个自由度，包括多轴直线及旋转，而压电纳米定位台可实现三维甚至六自由度的精密运动。

（5）高稳定性与可靠性：压电纳米定位台的高刚性、零间隙的设计保证了系统在操作中的稳定性和重复性，是承载晶圆的可靠平台。

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芯明天H30系列压电纳米定位台

芯明天H30系列压电纳米定位台是具有中心通孔的、XY直线及θz轴旋转运动的三维压电偏摆台，采用无摩擦柔性铰链结构设计，响应速度快、闭环定位精度高，可满足晶圆对准过程中的调整需求。

技术参数

晶圆键合对位纳米台

技术参数

运动自由度：X、Y、θz

行程：XY>100μm/轴、θz>0.2mrad

纳米级分辨率

承载能力：>10kg

可选真空版本

产品可定制

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